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簡(jiǎn)要描述：壓力變送器，硅電阻傳感器：0.1%精度，HART/4～20mA，背景光；可用于測(cè)量溫度、壓力、工況流量、標(biāo)況流量等；
產(chǎn)品型號(hào)：ZHDR12W200Y
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-12-03
訪 問(wèn) 量：2097
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壓力變送器 技術(shù)參數(shù)：
精度 | 差壓精度：0.075級(jí)（模擬），0.04級(jí)（數(shù)字）；流量精度：0.1級(jí) |
量程比 | 差壓可測(cè)量量程：1200：1；流量：15：1以上 |
穩(wěn)定性 | 差壓漂移0.1%/10年 |
微微差壓 | 1~10Pa內(nèi)工作 |
過(guò)載能力 | 浮動(dòng)膜盒技術(shù)保證了過(guò)載能力，可達(dá)靜壓 |
輸出電流 | 4~20mA(HART)、RS485(MODBUS) |
溫壓補(bǔ)償 | 氣體、蒸汽、液體自動(dòng)溫度壓力補(bǔ)償 |
測(cè)量功能 | 可雙向流量測(cè)量 |
超壓影響 | 加壓10MPa后，誤差為量程范圍的±0.25% |
電源影響 | 小于輸出量程的0.005%/V |
自帶傳感器 | 溫度傳感器PT1000、壓力傳感器 |
氣體顯示參數(shù) | 溫度、壓力、工況流量、標(biāo)況流量等 |
蒸汽顯示參數(shù) | 溫度、壓力、密度、質(zhì)量流量等 |
壓力變送器 型譜：
特點(diǎn)：浮動(dòng)硅電容芯片
采用富士三代浮動(dòng)膜盒技術(shù)，如圖所示：被測(cè)差壓通過(guò)導(dǎo)壓管進(jìn)入變送器的高低壓保護(hù)室，保護(hù)室起到瞬間過(guò)壓保護(hù)作用，差壓信號(hào)通過(guò)毛細(xì)管進(jìn)入測(cè)量室再作用到測(cè)量膜片和浮動(dòng)膜片上，隨著外加差壓的變化，測(cè)量膜片產(chǎn)生與差壓成比例的微小位移。硅膜片的作用相當(dāng)于差動(dòng)電容中的活動(dòng)電極。在正常輸入差壓作用下，浮動(dòng)膜片基本上是不動(dòng)的，當(dāng)檢測(cè)部件一側(cè)承受單向過(guò)載壓力時(shí)，浮動(dòng)膜片產(chǎn)生位移，這樣就使用測(cè)量膜片的變形量減小。由于檢測(cè)部件的核心體是隨單向過(guò)載壓力浮動(dòng)的，因此，在承受單向壓力時(shí)隔離膜片與基座波紋間被擠出的充灌液被吸收，測(cè)量膜片不會(huì)緊貼到對(duì)面的球形固定電極上，而是隔離膜片緊貼在與其吻合的基座保護(hù)波紋上不再移動(dòng)。同時(shí)測(cè)量膜片和外殼沒(méi)有應(yīng)力的連接，使得變送器的長(zhǎng)期穩(wěn)定性得到大幅度提高。這就是富士公司單向保護(hù)、浮動(dòng)膜盒機(jī)構(gòu)。
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